ECC DDR3 서버용 램 표기: 2Rx8 PC3L-12800E

Published:jarvis 등록일2025-05-29 00:172025-05-29 00:35 업데이트2025-05-29

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서버나 워크스테이션에서 사용되는 ECC DDR3 램은 일반 소비자용 메모리와는 다른 표기법이 사용됩니다.

예를 들어, 2Rx8 PC3L-12800E 같은 표기는 RAM의 구조, 전압, 속도, ECC 지원 여부 등을 한눈에 나타냅니다.

이 글에서는 2Rx8, PC3L, 12800E, ECC 등의 의미를 쉽게 풀어 설명하고, RAM 호환성과 성능에 미치는 영향까지 정리합니다.

✅ ECC RAM이란?

ECC는 Error-Correcting Code의 약자로, 데이터 전송 중 발생할 수 있는 1비트 오류를 자동으로 감지하고 수정할 수 있는 기능을 가진 메모리입니다.

🔲 ECC DDR3 램 확인

ECC DDR3 램을 확인하는 기준은 다음과 같습니다.

E = ECC
예: 12800E, PC3L-12800E

여기서 E는 ECC (Error-Correcting Code) 메모리를 의미합니다.

R = Registered (Buffered ECC)
예: 10600R, PC3L-10600R

R은 Registered RAM을 의미하며, 이 역시 ECC 기능 포함입니다.

✅ ECC DDR3 서버용 램 표기 확인

ECC DDR3 : 램(RAM)_16G 2Rx4 PC3L-12800R-11-12-E2-P2

16GB 2Rx4 PC3L-10600R-11-12-E3

16G RAM
2Rx4
1R은 단면 메모리, 2R은 양면 메모리를을 의미합니다.
1R (Single Rank)
메모리 칩이 한 면에만 붙어 있고, 하나의 랭크(논리적 그룹)로 동작합니다.
2R (Dual Rank)
양면 메모리를 의미합니다. 메모리 칩이 양쪽 면에 붙어 있고, 두 개의 랭크로 나뉘어 동작합니다.
x4
각 메모리 칩이 4비트 폭으로 구성되어 있다는 의미입니다.
한 개의 메모리 칩이 4비트 단위로 데이터를 전송합니다.
칩의 구성 bit (x4, x8, x16 등)
숫자가 작을수록 (예: x4) 데이터 접근 단위가 세분화되어 칩 하나당 처리하는 데이터 폭이 작습니다.
x4 칩 16개 (16 × 4bit = 64bit)
x8 칩 8개 (8 × 8bit = 64bit)
x16 칩 4개 (4 × 16bit = 64bit)

x4는 주로 서버용 ECC 메모리, x8/x16은 일반 데스크탑/노트북에서 사용됩니다.

🔲 PC3L

구분	의미	설명
PC3	DDR3 SDRAM	DDR3 세대의 메모리. DDR2보다 빠르고 전력 효율이 향상됨
L	Low Voltage	저전압 메모리. 1.35V 동작
PC3L	DDR3 Low Voltage 메모리	일반 DDR3(1.5V)보다 낮은 전압으로 동작하여, 전력 소비와 발열이 적음
용도	전력 효율이 중요한 환경	서버, 노트북 등 저전력 요구 시스템에서 선호됨

🔲 10600R / 10600E

◻️ 숫자 “10600”의 의미

PC3-10600은 DDR3-1333MHz 메모리를 의미합니다.
숫자 10600은 **대역폭(Bandwidth)**인 10.6 GB/s에서 유래되었습니다.

📊 대역폭 관련 표

표기	동작 속도 (클럭)	데이터 전송 속도 (MT/s)	대역폭 (GB/s)
PC3-8500	533 MHz	1066 MT/s	8.5 GB/s
PC3-10600	667 MHz	1333 MT/s	10.6 GB/s (10600)
PC3-12800	800 MHz	1600 MT/s	12.8 GB/s
PC3-14900	933 MHz	1866 MT/s	14.9 GB/s

※ 대역폭 계산 공식: MT/s × 8 Byte = GB/s

◻️ E / R

항목	설명
E (ECC Unbuffered)	ECC UDIMM (Unbuffered DIMM): ECC 기능은 있지만 레지스터는 없음. 워크스테이션이나 일부 서버에서 사용됨.
R (Registered)	Registered DIMM (RDIMM): 서버용 ECC 메모리로, 레지스터 버퍼를 통해 신호를 안정화시킴. 대용량 메모리 구성 시 안정성이 높음.

🔲 -11-12-E3 의미 분석

구성	의미	설명
11	CAS Latency (CL)	메모리 컨트롤러가 명령을 내린 후, 실제 데이터가 출력될 때까지의 지연 시간. 이 경우 CL = 11
12	tRCD 또는 tRAS 등의 추가 타이밍 값	보통 tRCD (Row to Column Delay). 행 → 열로 전환 시 지연 시간
E3	JEDEC 프로파일 코드 또는 벤더 코드	제조사나 JEDEC 규격에 따라 정의되는 고유 코드. 의미는 공개 안 되는 경우도 많음.

✅ Intel Xeon E3 vs E5 메모리 호환성 비교

항목	Xeon E3 시리즈	Xeon E5 시리즈
지원 메모리 타입	UDIMM (Unbuffered ECC 또는 Non-ECC)	RDIMM, UDIMM, LRDIMM 지원 (모델에 따라 다름)
Registered (R) DIMM	❌ 지원 안 함	✅ 지원
ECC 지원	✅ (ECC UDIMM만)	✅ 지원
10600R 사용 가능 여부	❌ 안 됨 (Registered DIMM 미지원)	✅ 사용 가능 (서버용 보드 기준)
10600E 사용 여부	✅ 가능 (ECC UDIMM이므로 지원됨)	✅ 가능

인텔 웹사이트에서 제품 CPU 모델 검색을 통해 호환되는 램을 확인할 수 있습니다.

인텔 검색페이지 바로가기

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